关注焦点:Void
Source of void
Void 发现位置
主要发生在中间到上端之间、底部等,向上排出的过程中因时间不足而形成。(温度PROFILE尤为重要)
Collapsible ball – 210度至230度
noncollapsible ball – 302度(90% Pb, 10 Sn) – 发生频率较低。
Void的影响
X射线检测
Laminography方式价格高昂,可轻松掌握void位置。
transmission方式只需利用tilting功能,即可来掌握位置。
X射线检测注意事项
Voltage Blooming(Phosphor Blooming)
对策、利用Anti-blooming film
与标准样品进行对比测量
消除Void
通常情况下BGA IC的ball中几乎无Void
Reflow的time-temperature profile实现最优化
Flux量、类型、特性实现最优化
Void质量判定标准
ball size、pitch>变小 ; 不良数量持续增加
Location of Void | Class Ⅰ | Class Ⅱ | Class Ⅲ |
---|---|---|---|
Void in ball (dimple)%Dia. / % area | 60% of dia=36% of area | 45% of dia=20 1/4% of area | 30% of dia=9% of area |
50% of dia=25% of area | 35% of dia=12 1/4% of area | 20% of dia=4% of area |
Solder bridge
Opens
Cold solder
产品不良与工序改善
Insufficient/Uneven Heating
Component Defect